BSZ0804LSATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
1000400 יחידות חדשות מק originales במלאי
90 - Da or Exchange - Defective par.7383 Pcs New Original In Stock7383 Pcs New Original In Stock
Request Quote (Ships tomorrow)
*Quantity
Minimum 1
BSZ0804LSATMA1 Infineon Technologies
5.0 / 5.0 - (464 דרוגים)

BSZ0804LSATMA1

סקירה כללית של המוצר

12975911

DiGi Electronics מספר חלק

BSZ0804LSATMA1-DG
BSZ0804LSATMA1

תיאור

MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON

מלאי

1000400 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 100 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
כמות
מינימום 1

רכישה ושאלה

אבטחת איכות והחזרים

365 - ערבות איכות יומיומית - כל חלק מוגן במלואו

החזר כספי או החלפה תוך 90 יום - חלקים פגומים? בלי טרחה.

מלאי מוגבל, הזמינו עכשיו - קבל חלקים אמינים בלי דאגות.

משלוחים גלובליים ואחסון מאובטח

משלוח עולמי תוך 3-5 ימי עסקים

אריזת מונעת סטאטית 100% ESD

מעקב בזמן אמת לכל הזמנה

תשלום בטוח וגמיש

כרטיס אשראי, ויזה, מאסטרקארד, פייפאל, ווסטרן יוניון, העברה טלפונית (T/T) ועוד

כל התשלומים מוצפנים לביטחון

זמין במלאי (כל המחירים בדולרים אמריקאיים)
  • כמות מחיר יעד מחיר כולל
  • 1 41.5115 41.5115
מחיר טוב יותר בבקשת הצעת מחיר מקוונית
בקשת הצעת מחיר(מוכרחת מחר)
כמות
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

BSZ0804LSATMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה טרנזיסטורים, שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

אריזות Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

סדרה OptiMOS™ 5

סטטוס המוצר Obsolete

סוג FET N-Channel

טכנולוגיה MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss) 100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C 11A (Ta), 40A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs 9.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה 2.3V @ 36µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS 15 nC @ 4.5 V

VGS (מקס') ±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds 2100 pF @ 50 V

תכונת FET -

פיזור כוח (מרבי) 2.1W (Ta), 69W (Tc)

טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים PG-TDSON-8 FL

חבילה / מארז 8-PowerTDFN

מספר מוצר בסיסי BSZ0804

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

BSZ0804LS

גיליון נתונים של HTML

BSZ0804LSATMA1-DG

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (Unlimited)
סטטוס REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

מידע נוסף

שמות אחרים
SP001648318
448-BSZ0804LSATMA1DKR
448-BSZ0804LSATMA1CT
448-BSZ0804LSATMA1TR
חבילה סטנדרטית
5,000

מודלים חלופיים

מספר חלק
יצרן
כמות זמינה
DiGi מספר חלק
מחיר ליחידה
סוג משאב
ISZ0804NLSATMA1
Infineon Technologies
7809
ISZ0804NLSATMA1-DG
0.5095
MFR Recommended

שאלות נפוצות (שנ)

מה המאפיינים המרכזיים של ה-MOSFET אינפיניאון BSZ0804LSATMA1?
ה-BSZ0804LSATMA1 הינו MOSFET בערוץ-נשא (N-channel) מותאם ליעילות גבוהה, עם מתח זרימה גבוהה בין המעבורת למקור של 100V, זרם עומס רציף עד 40A בטמפרטורת סביבה, והתנגדות Rds(on) נמוכה של 9.6 מ"אΩ. הוא מגיע בחבילה Surface-Mount מסוג PG-TDSON-8נתמך בפעילות בטמפרטורות מ-—55°C ועד 150°C.
האם ה-MOSFET אינפיניאון BSZ0804LSATMA1 מתאים ליישומי אלקטרוניקה בהספק גבוה?
כן, MOSFET זה מתאים לשימושים שונים של אלקטרוניקה בהספק כגון נהגי מנועים, ספקי כוח וממירי DC-DC, הודות ליכולתו הגבוהה לזרום, התנגדות Rds(on) הנמוכה ויכולות הפיזור תרמי גבוהות.
מה תאימות ומתח המגיעות של ה-MOSFET BSZ0804LSATMA1?
ה-MOSFET מותאם למתח מקסימלי בין המעבורת למקור של 100V וניתן להפעלה באמצעות מתח_GATE שבין 4.5V ל-10V, מה שהופך אותו לתואם למערכות ניהול כוח סטנדרטיות.
מה היתרונות בבחירת סדרת ה-MOSFET OptiMOS™ 5 של אינפיניאון?
סדרת ה-OptiMOS™ 5 מציעה Rds(on) נמוך, יעילות גבוהה וביצועי תרמיים מצוינים, המסייעים בהפחתת אובדן הכוח ושיפור אמינות המערכת הכוללת בעיצובים האלקטרוניים שלך.
האם ניתן לרכוש את ה-MOSFET BSZ0804LSATMA1 בכמויות גדולות, ומה מכסה האחריות?
כן, MOSFET זה זמין בכמויות סיטונאיות, עם מעל למיליון יחידות במלאי, ומהווה חלק מסטנדרט האחריות והתמיכה היצרני, המבטיח איכות ואמינות בהספקה לפרויקטים שלך.
עבודת תקן DiGi
בלוגים ופוסטים

BSZ0804LSATMA1 CAD Models

productDetail