מניעת זיופים ותקלות
בדיקת מראה וע packaging
תיקוף ביצועי חשמל
דוא"ל שירות:
[email protected]
>
BSZ0804LSATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
1000400 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 100 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
בקשת הצעת מחיר
(מוכרחת מחר)
*כמות
מינימום 1
מינימום 1
5.0 / 5.0
- (464 דרוגים)
BSZ0804LSATMA1
סקירה כללית של המוצר
12975911
DiGi Electronics מספר חלק
BSZ0804LSATMA1-DG
BSZ0804LSATMA1
תיאור
MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSONמלאי
1000400 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 100 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
כמות
מינימום 1
מינימום 1
רכישה ושאלה
אחריות והחזרות
איך להזמין
משלוח והספקה
בקרת איכות
365 - ערבות איכות יומיומית - כל חלק מוגן במלואו
החזר כספי או החלפה תוך 90 יום - חלקים פגומים? בלי טרחה.
מלאי מוגבל, הזמינו עכשיו - קבל חלקים אמינים בלי דאגות.
משלוחים גלובליים ואחסון מאובטח
משלוח עולמי תוך 3-5 ימי עסקים
אריזת מונעת סטאטית 100% ESD
מעקב בזמן אמת לכל הזמנה
תשלום בטוח וגמיש
כרטיס אשראי, ויזה, מאסטרקארד, פייפאל, ווסטרן יוניון, העברה טלפונית (T/T) ועוד
כל התשלומים מוצפנים לביטחון
BSZ0804LSATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
טרנזיסטורים, שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
OptiMOS™ 5
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Ta), 40A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.3V @ 36µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2100 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8 FL
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSZ0804
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
הורדה BSZ0804LSATMA1 מפרטי מוצר (PDF)
גליונות נתונים
BSZ0804LS
גיליון נתונים של HTML
BSZ0804LSATMA1-DG
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001648318
448-BSZ0804LSATMA1DKR
448-BSZ0804LSATMA1CT
448-BSZ0804LSATMA1TR
חבילה סטנדרטית
5,000
חלפים חלופיים
מספר חלק
יצרן
כמות זמינה
DiGi מספר חלק
מחיר ליחידה
סוג משאב
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
desember 02, 2025
정확하고 빠른 배송 덕분에 업무에 큰 도움이 됐어요. 제품도 매우 만족스럽습니다.
desember 02, 2025
Ils se démarquent par leur organisation logistique et leur excellent support client.
desember 02, 2025
Je suis impressionné par leur rapidité à traiter et expédier mes commandes.
desember 02, 2025
I appreciate their focus on delivering value through quality and cost.
desember 02, 2025
Their competitive pricing and reliable build make their products a smart choice.
desember 02, 2025
Excellent logistics and support services make them a standout provider.
desember 02, 2025
The value I get from DiGi Electronics’ products is unmatched.
desember 02, 2025
I’ve been impressed with how their components maintain performance after repeated use.
desember 02, 2025
Whenever I had a question, customer service responded rapidly and professionally.
desember 02, 2025
We appreciate their proactive communication and efficient handling of after-sales issues.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
שאלות נפוצות (שנ)
מה המאפיינים המרכזיים של ה-MOSFET אינפיניאון BSZ0804LSATMA1?
ה-BSZ0804LSATMA1 הינו MOSFET בערוץ-נשא (N-channel) מותאם ליעילות גבוהה, עם מתח זרימה גבוהה בין המעבורת למקור של 100V, זרם עומס רציף עד 40A בטמפרטורת סביבה, והתנגדות Rds(on) נמוכה של 9.6 מ"אΩ. הוא מגיע בחבילה Surface-Mount מסוג PG-TDSON-8נתמך בפעילות בטמפרטורות מ-—55°C ועד 150°C.
האם ה-MOSFET אינפיניאון BSZ0804LSATMA1 מתאים ליישומי אלקטרוניקה בהספק גבוה?
כן, MOSFET זה מתאים לשימושים שונים של אלקטרוניקה בהספק כגון נהגי מנועים, ספקי כוח וממירי DC-DC, הודות ליכולתו הגבוהה לזרום, התנגדות Rds(on) הנמוכה ויכולות הפיזור תרמי גבוהות.
מה תאימות ומתח המגיעות של ה-MOSFET BSZ0804LSATMA1?
ה-MOSFET מותאם למתח מקסימלי בין המעבורת למקור של 100V וניתן להפעלה באמצעות מתח_GATE שבין 4.5V ל-10V, מה שהופך אותו לתואם למערכות ניהול כוח סטנדרטיות.
מה היתרונות בבחירת סדרת ה-MOSFET OptiMOS™ 5 של אינפיניאון?
סדרת ה-OptiMOS™ 5 מציעה Rds(on) נמוך, יעילות גבוהה וביצועי תרמיים מצוינים, המסייעים בהפחתת אובדן הכוח ושיפור אמינות המערכת הכוללת בעיצובים האלקטרוניים שלך.
האם ניתן לרכוש את ה-MOSFET BSZ0804LSATMA1 בכמויות גדולות, ומה מכסה האחריות?
כן, MOSFET זה זמין בכמויות סיטונאיות, עם מעל למיליון יחידות במלאי, ומהווה חלק מסטנדרט האחריות והתמיכה היצרני, המבטיח איכות ואמינות בהספקה לפרויקטים שלך.
בקרת איכות (QC)
אתר DiGi מבטיח את איכות ואותנטיות כל רכיב אלקטרוני באמצעות בדיקות מקצועיות וטעימות קבוצתיות, ומבטיח מקורות אמינים, ביצועים יציבים ותאימות לדרישות טכניות, תוך סיוע ללקוחות בהפחתת סיכוני שרשרת ההספקה ושימוש בביטחון ברכיבים בתהליך הייצור.
BSZ0804LSATMA1 CAD Models
Infineon Technologies BSZ0804LSATMA1 PCB symbols & footprints
productDetail
