IPP041N12N3GXKSA1 >
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
בקשת הצעת מחיר (מוכרחת מחר)
*כמות
מינימום 1
IPP041N12N3GXKSA1 Infineon Technologies
5.0 / 5.0 - (94 דרוגים)

IPP041N12N3GXKSA1

סקירה כללית של המוצר

12803539

DiGi Electronics מספר חלק

IPP041N12N3GXKSA1-DG
IPP041N12N3GXKSA1

תיאור

MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3

מלאי

200457 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
כמות
מינימום 1

רכישה ושאלה

בקרת איכות

365 - ערבות איכות יומיומית - כל חלק מוגן במלואו

החזר כספי או החלפה תוך 90 יום - חלקים פגומים? בלי טרחה.

מלאי מוגבל, הזמינו עכשיו - קבל חלקים אמינים בלי דאגות.

משלוחים גלובליים ואחסון מאובטח

משלוח עולמי תוך 3-5 ימי עסקים

אריזת מונעת סטאטית 100% ESD

מעקב בזמן אמת לכל הזמנה

תשלום בטוח וגמיש

כרטיס אשראי, ויזה, מאסטרקארד, פייפאל, ווסטרן יוניון, העברה טלפונית (T/T) ועוד

כל התשלומים מוצפנים לביטחון

זמין במלאי (כל המחירים בדולרים אמריקאיים)
  • כמות מחיר יעד מחיר כולל
  • 1 5.8976 5.8976
מחיר טוב יותר בבקשת הצעת מחיר מקוונית
בקשת הצעת מחיר (מוכרחת מחר)
* כמות
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

IPP041N12N3GXKSA1 מפרטים טכניים

קטגוריה טרנזיסטורים, שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

אריזות Tube

סדרה OptiMOS™

סטטוס המוצר Active

סוג FET N-Channel

טכנולוגיה MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss) 120 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C 120A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs 4.1mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה 4V @ 270µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS 211 nC @ 10 V

VGS (מקס') ±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds 13800 pF @ 60 V

תכונת FET -

פיזור כוח (מרבי) 300W (Tc)

טמפרטורת פעולה -55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה Through Hole

חבילת מכשירים לספקים PG-TO220-3

חבילה / מארז TO-220-3

מספר מוצר בסיסי IPP041

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G

גיליון נתונים של HTML

IPP041N12N3GXKSA1-DG

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (Unlimited)
סטטוס REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

מידע נוסף

שמות אחרים
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
חבילה סטנדרטית
50

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
푸***가
desember 02, 2025
5.0
쇼핑 경험이 정말 뛰어나고, 제품의 내구성도 좋아서 추천합니다.
Lich***amme
desember 02, 2025
5.0
Die Betreuung nach dem Kauf bei DiGi Electronics war vorbildlich. Bei einem Problem wurde mir umgehend eine Lösung angeboten.
タチ***香り
desember 02, 2025
5.0
信頼できるサポートで、製品の長寿命化に役立っています。
Pure***mony
desember 02, 2025
5.0
Their affordable prices make it easy to get dependable electronics without breaking the bank.
Gent***ulse
desember 02, 2025
5.0
Order tracking is seamless, providing real-time updates on delivery status.
Eve***vid
desember 02, 2025
5.0
The entire delivery process, from packaging to logistics updates, was top-tier.
Son***ave
desember 02, 2025
5.0
Their packaging materials seem to be specially chosen to withstand rough handling, safeguarding my goods.
Magi***ments
desember 02, 2025
5.0
The navigation experience is fluid, making shopping stress-free.
Publish Evalution
* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

שאלות נפוצות (שנ)

אילו תכונות עיקריות יש ל-MOSFET מסוג Infineon OptiMOS™ N-Channel (IPP041N12N3GXKSA1)?

מעגל ה-MOSFET תומך במתח של 120V בין ה-drain ל-source וזרם מתמשך של 120A בטמפרטורה של 25°С, עם Rds On נמוך של 4.1 מיקו״א, מה שהופך אותו מתאים לשימושים בהחלפת קשת עוצמתית. הוא מעוצב בחבילה מסוג TO-220-3 להתקנה קלה וביצועים אמינים.

באילו יישומים מתאים MOSFET זה של 120V ו-120A?

מקומות שבהם ניתן להשתמש ב-MOSFET זה כוללים ממירי כוח, תיבות מנועים ומעגלי החלפת עוצמה גבוהה שבהם נדרש ניהול אנרגיה יעיל וביצועים תרמיים גבוהים. העיצוב החזק שלו מבטיח עמידות במערכות אלקטרוניות תובעניות.

האם ה-N-Channel MOSFET זה תואם לעיצובים אלקטרוניים קיימים?

כן, ה-IP041N12N3GXKSA1 תואם למתחי הפעלה סטנדרטיים של שער וכולל סף שער של 4V, מה שהופך אותו מתאים לעיצובים רבים של ספקי כוח והתקנים משולבים.

מהם היתרונות של בחירת MOSFETים מסדרת OptiMOS™ של אינפינאון?

MOSFETים מסדרת OptiMOS™ ידועים ב-Rds On נמוך, יעילות גבוהה וביצועים תרמיים מצוינים, המסייעים בהפחתת פיזור האנרגיה ושיפור האמינות הכוללת של המערכת.

איזה אחריות ותמיכה זמינות במוצר MOSFET זה?

כמוצר תפעולי ותואם ל-RoHS3, ה-MOSFET מקבל תמיכה מהיצרן ואחריות איכותית. הוא ניתן להזמנה ישירה ממלאי, מה שמבטיח זמינות מהירה לפרויקטים שלך.

בקרת איכות (QC)

אתר DiGi מבטיח את איכות ואותנטיות כל רכיב אלקטרוני באמצעות בדיקות מקצועיות וטעימות קבוצתיות, ומבטיח מקורות אמינים, ביצועים יציבים ותאימות לדרישות טכניות, תוך סיוע ללקוחות בהפחתת סיכוני שרשרת ההספקה ושימוש בביטחון ברכיבים בתהליך הייצור.

בקרת איכות
מניעת זיופים ותקלות

מניעת זיופים ותקלות

סינון מקיף לזיהוי רכיבים מזויפים, משופצים או פגומים, כדי להבטיח שרק חלקים מקוריים ועומדים בדרישות יישלחו.

בדיקת מראה וע packaging

בדיקת מראה וע packaging

תיקוף ביצועי חשמל

אימות מראה הרכיב, סימונים, קודי תאריך, תקינות האריזה וקונסיסטנטיות התווית כדי להבטיח מעקב והתאמה.

הערכת חיים ואמינות

עבודת תקן DiGi
בלוגים ופוסטים
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
productDetail
Please log in first.
עדיין אין לך חשבון? להירשם