NVHL080N120SC1A >
NVHL080N120SC1A
onsemi
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
1000400 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3
בקשת הצעת מחיר (מוכרחת מחר)
*כמות
מינימום 1
NVHL080N120SC1A onsemi
5.0 / 5.0 - (293 דרוגים)

NVHL080N120SC1A

סקירה כללית של המוצר

12938801

DiGi Electronics מספר חלק

NVHL080N120SC1A-DG

יצרן

onsemi
NVHL080N120SC1A

תיאור

SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3

מלאי

1000400 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3
כמות
מינימום 1

רכישה ושאלה

בקרת איכות

365 - ערבות איכות יומיומית - כל חלק מוגן במלואו

החזר כספי או החלפה תוך 90 יום - חלקים פגומים? בלי טרחה.

מלאי מוגבל, הזמינו עכשיו - קבל חלקים אמינים בלי דאגות.

משלוחים גלובליים ואחסון מאובטח

משלוח עולמי תוך 3-5 ימי עסקים

אריזת מונעת סטאטית 100% ESD

מעקב בזמן אמת לכל הזמנה

תשלום בטוח וגמיש

כרטיס אשראי, ויזה, מאסטרקארד, פייפאל, ווסטרן יוניון, העברה טלפונית (T/T) ועוד

כל התשלומים מוצפנים לביטחון

זמין במלאי (כל המחירים בדולרים אמריקאיים)
  • כמות מחיר יעד מחיר כולל
  • 1 50.1500 50.1500
מחיר טוב יותר בבקשת הצעת מחיר מקוונית
בקשת הצעת מחיר (מוכרחת מחר)
* כמות
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

NVHL080N120SC1A מפרטים טכניים

קטגוריה טרנזיסטורים, שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן onsemi

אריזות Tube

סדרה -

סטטוס המוצר Active

סוג FET N-Channel

טכנולוגיה SiCFET (Silicon Carbide)

ניקוז למתח מקור (Vdss) 1200 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C 31A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On) 20V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs 110mOhm @ 20A, 20V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה 4.3V @ 5mA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS 56 nC @ 20 V

VGS (מקס') +25, -15V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds 1670 pF @ 800 V

תכונת FET -

פיזור כוח (מרבי) 178W (Tc)

טמפרטורת פעולה -55°C ~ 175°C (TJ)

כיתה Automotive

ההסמכה AEC-Q101

סוג הרכבה Through Hole

חבילת מכשירים לספקים TO-247-3

חבילה / מארז TO-247-3

מספר מוצר בסיסי NVHL080

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

NVHL080N120SC1A

גיליון נתונים של HTML

NVHL080N120SC1A-DG

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (Unlimited)
סטטוס REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

מידע נוסף

שמות אחרים
488-NVHL080N120SC1A
2156-NVHL080N120SC1A
חבילה סטנדרטית
30

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
망***꿈
desember 02, 2025
5.0
친절한 고객 지원과 빠른 문제 해결이 돋보입니다.
Coeu***Lune
desember 02, 2025
5.0
J’adore faire mes achats chez DiGi Electronics, où tout est à la fois économique et respectueux de l’environnement.
Per***are
desember 02, 2025
5.0
Leur offre variée est un vrai atout, elle permet d’accéder à des solutions technologiques de pointe facilement.
Plum***corée
desember 02, 2025
5.0
L'expédition a été rapide et l'emballage très solide. Excellent service à recommander.
Wi***ope
desember 02, 2025
5.0
The prices are friendly on the pocketbook, and the staff is always courteous and helpful.
Qui***uest
desember 02, 2025
5.0
The company's commitment to inventory accuracy is impressive.
Radi***Haven
desember 02, 2025
5.0
Their pricing advantage is one of the best in the industry, enabling us to operate efficiently.
Publish Evalution
* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

שאלות נפוצות (שנ)

מהן התכונות והמאפיינים העיקריים של ה-MOSFET מסוג onsemi NVHL080N120SC1A?

ה-NVHL080N120SC1A הוא MOSFET מסוג סיליקון קרביד (SiC) בערוץ N עם דירוג מתחים של 1200V וזרם נמשך של 31A בטמפרטורת סביבה של 25°C, המיועד ליישומי עוצמה גבוהה. הוא מצויד ב-Rds On נמוך של 110 מ"Ω בזרם של 20A ומתח של 20V, ומתאים לפעילות בטמפרטורות בין -55°C ל-175°C, תואם תקנים תעשייתיים ורכביים.

לאילו יישומים מתאים MOSFET מסוג SiC זה?

MOSFET זה מתאים להמרות כוח במתח גבוה, נהיגות תעשייתיות ומערכות כוח לרכבים, בזכות יכולת לטיפול במתח גבוה, יעילות גבוהה וביצועים תרמיים מעולים. המבנה החוסן שלו מאפשר עבודה בתנאים קשים של חום וזרם גבוה.

האם ה-NVHL080N120SC1A תואם לשיטות הרכבה סטנדרטיות של חיבור דרך?

כן, MOSFET זה מצויד במארז TO-247-3, המיועד להרכבה דרך, מה שמאפשר תאימות עם תהליכי הרכבה סטנדרטיים לשימוש באלקטרוניקה תעשייתית ולמכשירי כוח.

מהן היתרונות של שימוש בטכנולוגיית סיליקון קרביד (SiC) במוליך זה?

טכנולוגיית סיליקון קרביד מציעה יעילות גבוהה יותר, מהירויות שינוי מעגלי מהירות יותר וביצועים תרמיים משופרים בהשוואה למוליכי סיליקון רגילים, מה שמסייע להפחתת איבודי אנרגיה ולשפר את אמינות המערכת ליישומים במתח גבוה.

איזה תמיכה או אחריות זמינה למוצר MOSFET זה?

המוצר הזה הוא פריט חדש, מקורי של onsemi, במצב פעיל ומלאי זמין. יצרנים בדרך כלל מספקים תמיכה טכנית ותנאי אחריות; אנא פנה לספק לקבלת מידע ספציפי על תמיכה לאחר מכירה ואחריות.

בקרת איכות (QC)

אתר DiGi מבטיח את איכות ואותנטיות כל רכיב אלקטרוני באמצעות בדיקות מקצועיות וטעימות קבוצתיות, ומבטיח מקורות אמינים, ביצועים יציבים ותאימות לדרישות טכניות, תוך סיוע ללקוחות בהפחתת סיכוני שרשרת ההספקה ושימוש בביטחון ברכיבים בתהליך הייצור.

בקרת איכות
מניעת זיופים ותקלות

מניעת זיופים ותקלות

סינון מקיף לזיהוי רכיבים מזויפים, משופצים או פגומים, כדי להבטיח שרק חלקים מקוריים ועומדים בדרישות יישלחו.

בדיקת מראה וע packaging

בדיקת מראה וע packaging

תיקוף ביצועי חשמל

אימות מראה הרכיב, סימונים, קודי תאריך, תקינות האריזה וקונסיסטנטיות התווית כדי להבטיח מעקב והתאמה.

הערכת חיים ואמינות

עבודת תקן DiGi
בלוגים ופוסטים
NVHL080N120SC1A CAD Models
productDetail
Please log in first.
עדיין אין לך חשבון? להירשם