SIHB21N65EF-GE3 >
SIHB21N65EF-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
89937 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
בקשת הצעת מחיר (מוכרחת מחר)
*כמות
מינימום 1
SIHB21N65EF-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (232 דרוגים)

SIHB21N65EF-GE3

סקירה כללית של המוצר

12787255

DiGi Electronics מספר חלק

SIHB21N65EF-GE3-DG
SIHB21N65EF-GE3

תיאור

MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK

מלאי

89937 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
כמות
מינימום 1

רכישה ושאלה

בקרת איכות

365 - ערבות איכות יומיומית - כל חלק מוגן במלואו

החזר כספי או החלפה תוך 90 יום - חלקים פגומים? בלי טרחה.

מלאי מוגבל, הזמינו עכשיו - קבל חלקים אמינים בלי דאגות.

משלוחים גלובליים ואחסון מאובטח

משלוח עולמי תוך 3-5 ימי עסקים

אריזת מונעת סטאטית 100% ESD

מעקב בזמן אמת לכל הזמנה

תשלום בטוח וגמיש

כרטיס אשראי, ויזה, מאסטרקארד, פייפאל, ווסטרן יוניון, העברה טלפונית (T/T) ועוד

כל התשלומים מוצפנים לביטחון

זמין במלאי (כל המחירים בדולרים אמריקאיים)
  • כמות מחיר יעד מחיר כולל
  • 1 28.0740 28.0740
מחיר טוב יותר בבקשת הצעת מחיר מקוונית
בקשת הצעת מחיר (מוכרחת מחר)
* כמות
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

SIHB21N65EF-GE3 מפרטים טכניים

קטגוריה טרנזיסטורים, שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן Vishay

אריזות Tube

סדרה -

סטטוס המוצר Active

סוג FET N-Channel

טכנולוגיה MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss) 650 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C 21A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה 4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS 106 nC @ 10 V

VGS (מקס') ±30V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds 2322 pF @ 100 V

תכונת FET -

פיזור כוח (מרבי) 208W (Tc)

טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים TO-263 (D2PAK)

חבילה / מארז TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

מספר מוצר בסיסי SIHB21

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

SIHB21N65EF

גיליון נתונים של HTML

SIHB21N65EF-GE3-DG

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (Unlimited)
סטטוס REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
50

חלפים חלופיים

מספר חלק
יצרן
כמות זמינה
DiGi מספר חלק
מחיר ליחידה
סוג משאב
R6024ENJTL
Rohm Semiconductor
1908
R6024ENJTL-DG
0.2807
Similar
IPB65R190C7ATMA2
Infineon Technologies
1714
IPB65R190C7ATMA2-DG
0.2807
MFR Recommended
IPB65R190C6ATMA1
Infineon Technologies
863
IPB65R190C6ATMA1-DG
0.2807
MFR Recommended
STB23NM60ND
STMicroelectronics
7671
STB23NM60ND-DG
0.2807
Similar
IXFA24N60X
IXYS
701
IXFA24N60X-DG
0.2807
Similar

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Lumi***Douce
desember 02, 2025
5.0
Expédition très efficace, leur équipe gère tout avec méthode et rapidité.
Lebe***iebe
desember 02, 2025
5.0
Ich bin rundum zufrieden mit dem schnellen Versand und der zuverlässigen Unterstützung nach dem Kauf.
Erfolg***husiast
desember 02, 2025
5.0
Der Service nach dem Kauf ist ausgezeichnet. Probleme werden zügig gelöst.
ほ***散歩
desember 02, 2025
5.0
コストパフォーマンス重視の方には特におすすめです。
Wil***ower
desember 02, 2025
5.0
Customer support is a top priority for DiGi Electronics, and it shows.
Starr***rizon
desember 02, 2025
5.0
My order was handled with care, and the logistics ensured quick arrival.
Ambe***ghts
desember 02, 2025
5.0
Excellent after-sales experience that keeps me coming back.
Aur***Arch
desember 02, 2025
5.0
I am continually impressed by their quick responses and thorough assistance.
Publish Evalution
* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

שאלות נפוצות (שנ)

מהם התכונות המרכזיות של ה-MOSFET Vishay SIHB21N65EF-GE3?

ה-Vishay SIHB21N65EF-GE3 הוא MOSFET בעל המאפיינים שלול משרעת גבוהה בשכבת N, עם מתח זרימה של 650 וולט בין ה-דיין ל-סורס, זרם נוזל רציף של 21 אמפר ורמת Rds On נמוכה של 180 מ"אΩ, המתאים ליישומים רבי עוצמה. הוא מגיע במארז D2PAK בהתקנה משטחית ועומד בדרישות RoHS3, מה שמבטיח בטיחות סביבתית.

האם ה-MOSFET Vishay SIHB21N65EF-GE3 תואם עם מעגלים אלקטרוניים סטנדרטיים?

כן, ה-MOSFET הזה תואם עם עיצובים של מעגלים סטנדרטיים, שדורשים מתח הפעלה מקסימלי של 10 וולט ותמיכה בסף שער שעד 4 וולט. מארז ה-TO-263 בהתקנה משטחית מאפשר שימוש במגוון יישומי החלפת כוח.

מהן השימושים והיישומים המרכזיים של MOSFET בשל מתח גבוה זה?

MOSFET זה מושלם לספקי כוח, שליטה על מנועים, מעורבים, ומעגלי החלפת מתח גבוה בזכות דירוג המתח הגבוה, פיזור חום מרבי של 208 ואט, וביצועים עמידים בטמפרטורות גבוהות.

איך ה-Vishay SIHB21N65EF-GE3 מבטיח פעולה אמינה לטווח ארוך?

הוא כולל טווח טמפרטורות הפעלה הרחב מ-אנטרקטיקה של -55°C ועד 150°C, יכולת גבוהה לפיזור חום, ועומד בדרישות RoHS3, מה שמבטיח עמידות ובטיחות בשימושים תובעניים.

מה חשוב לדעת בעת רכישת וטיפול במוצר ה-MOSFET הזה?

המוצר קיים במלאי עם מעל 90,000 יחידות, ומסופק באריזה בצינור להתקנה נוחה. מומלץ לטפל בו בזהירות כדי להימנע מפגיעות סטטיות, והוא מתאים לשימושים תעשייתיים ומסחריים הזקוקים להחלפת מתח גבוהה אמינה.

בקרת איכות (QC)

אתר DiGi מבטיח את איכות ואותנטיות כל רכיב אלקטרוני באמצעות בדיקות מקצועיות וטעימות קבוצתיות, ומבטיח מקורות אמינים, ביצועים יציבים ותאימות לדרישות טכניות, תוך סיוע ללקוחות בהפחתת סיכוני שרשרת ההספקה ושימוש בביטחון ברכיבים בתהליך הייצור.

בקרת איכות
מניעת זיופים ותקלות

מניעת זיופים ותקלות

סינון מקיף לזיהוי רכיבים מזויפים, משופצים או פגומים, כדי להבטיח שרק חלקים מקוריים ועומדים בדרישות יישלחו.

בדיקת מראה וע packaging

בדיקת מראה וע packaging

תיקוף ביצועי חשמל

אימות מראה הרכיב, סימונים, קודי תאריך, תקינות האריזה וקונסיסטנטיות התווית כדי להבטיח מעקב והתאמה.

הערכת חיים ואמינות

עבודת תקן DiGi
בלוגים ופוסטים
SIHB21N65EF-GE3 CAD Models
productDetail
Please log in first.
עדיין אין לך חשבון? להירשם