מניעת זיופים ותקלות
בדיקת מראה וע packaging
תיקוף ביצועי חשמל
דוא"ל שירות:
[email protected]
>
SIHB22N60ET1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
7003 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
בקשת הצעת מחיר
(מוכרחת מחר)
*כמות
מינימום 1
מינימום 1
5.0 / 5.0
- (313 דרוגים)
SIHB22N60ET1-GE3
סקירה כללית של המוצר
12786399
DiGi Electronics מספר חלק
SIHB22N60ET1-GE3-DGיצרן
Vishay Siliconix
SIHB22N60ET1-GE3
תיאור
MOSFET N-CH 600V 21A TO263מלאי
7003 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
כמות
מינימום 1
מינימום 1
רכישה ושאלה
אחריות והחזרות
איך להזמין
משלוח והספקה
בקרת איכות
365 - ערבות איכות יומיומית - כל חלק מוגן במלואו
החזר כספי או החלפה תוך 90 יום - חלקים פגומים? בלי טרחה.
מלאי מוגבל, הזמינו עכשיו - קבל חלקים אמינים בלי דאגות.
משלוחים גלובליים ואחסון מאובטח
משלוח עולמי תוך 3-5 ימי עסקים
אריזת מונעת סטאטית 100% ESD
מעקב בזמן אמת לכל הזמנה
תשלום בטוח וגמיש
כרטיס אשראי, ויזה, מאסטרקארד, פייפאל, ווסטרן יוניון, העברה טלפונית (T/T) ועוד
כל התשלומים מוצפנים לביטחון
SIHB22N60ET1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
טרנזיסטורים, שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
E
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
21A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
86 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1920 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
227W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
SIHB22
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
הורדה SIHB22N60ET1-GE3 מפרטי מוצר (PDF)
גליונות נתונים
SiHB22N60E
גיליון נתונים של HTML
SIHB22N60ET1-GE3-DG
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מידע נוסף
שמות אחרים
SIHB22N60ET1-GE3DKR
SIHB22N60ET1-GE3-DG
SIHB22N60ET1-GE3TR
SIHB22N60ET1-GE3CT
חבילה סטנדרטית
800
חלפים חלופיים
מספר חלק
יצרן
כמות זמינה
DiGi מספר חלק
מחיר ליחידה
סוג משאב
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
desember 02, 2025
Leurs conseillers sont toujours aimables, courtois et très professionnels.
desember 02, 2025
DiGi Electronics’ customer support team is genuinely caring, making every interaction pleasant.
desember 02, 2025
Their transparent pricing policy makes shopping stress-free and enjoyable.
פרסם הערכה
הודעת הערכה
Please enter your review message.
אנא פרסמו הערות כנות ואל תפרסמו הערות בלתי חוקיות.
שאלות נפוצות (שנ)
מהם התכונות המרכזיות של ה-MOSFET Vishay SIHB22N60ET1-GE3?
ה-MOSFET Vishay SIHB22N60ET1-GE3 הוא טרנזיסטור חServ high-performance N-channel עם דירוג מתח של 600V וזרם שאיבה רציף של 21A. הוא מציע Rds On נמוך של 180mΩ ומתאים ליישומים של ניתוקים בזרם גבוה. חביל ה-TO-263 במשטח הפנים מאפשר יישום קל במעגלים שונים.
לאילו יישומים מתאים ה-MOSFET של 600V ו-21A?
ה-MOSFET מתאים לספקי כוח, מעגלי אינברטר, בקרה על מנועים, תאורה LED ועוד, בזכות יכולותיו לעיבוד מתח וזרם גבוהים. הוא תכנן לניתוקים יעילים של כוח במוצרים תעשייתיים וצרכניים.
האם ה-Vishay SIHB22N60ET1-GE3 תואם לעיצובים סטנדרטיים של מעגלים?
כן, ה-MOSFET תומך בטווח מתח הגיין עד ±30V ו-Rds On מקסימלי ב-10V Vgs, מה שהופך אותו תואם לדירקטורי כוח נפוצים. חבילת ה-TO-263 במשטח הפנים מאפשרת שיבוץ קל בשרטוטים קיימים.
מהן ההטבות בשימוש ב-MOSFET זה לעומת סוגים אחרים?
ה-MOSFET מציע סף מתח גבוה, Rds On נמוך להפחתת אובדן הולכה, וקיבולת פיזור חום של עד 227W. העיצוב הקומפקט במשטח הפנים מאפשר פתרונות ניהול כוח קומפקטיים ויעילים.
איזה תמיכת אחריות ומבני מלאי זמינים עבור ה-MOSFET של Vishay זה?
המוצר נמצא במלאי באופן פעיל עם מעל ל-7,500 יחידות זמינות, ומבטיח משלוח מהיר. כמרכיב מקורי חדש, הוא זוכה לתמיכה מהספק ומחויבות תקן תעשייתי, ומספק שקט נפשי לצורכי הרכש שלך.
בקרת איכות (QC)
אתר DiGi מבטיח את איכות ואותנטיות כל רכיב אלקטרוני באמצעות בדיקות מקצועיות וטעימות קבוצתיות, ומבטיח מקורות אמינים, ביצועים יציבים ותאימות לדרישות טכניות, תוך סיוע ללקוחות בהפחתת סיכוני שרשרת ההספקה ושימוש בביטחון ברכיבים בתהליך הייצור.
SIHB22N60ET1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHB22N60ET1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
