מניעת זיופים ותקלות
בדיקת מראה וע packaging
תיקוף ביצועי חשמל
דוא"ל שירות:
[email protected]
>
SIHJ8N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8
3742 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 600 V 8A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
בקשת הצעת מחיר
(מוכרחת מחר)
*כמות
מינימום 1
מינימום 1
5.0 / 5.0
- (361 דרוגים)
SIHJ8N60E-T1-GE3
סקירה כללית של המוצר
12786061
DiGi Electronics מספר חלק
SIHJ8N60E-T1-GE3-DGיצרן
Vishay Siliconix
SIHJ8N60E-T1-GE3
תיאור
MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8מלאי
3742 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 600 V 8A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
כמות
מינימום 1
מינימום 1
רכישה ושאלה
אחריות והחזרות
איך להזמין
משלוח והספקה
בקרת איכות
365 - ערבות איכות יומיומית - כל חלק מוגן במלואו
החזר כספי או החלפה תוך 90 יום - חלקים פגומים? בלי טרחה.
מלאי מוגבל, הזמינו עכשיו - קבל חלקים אמינים בלי דאגות.
משלוחים גלובליים ואחסון מאובטח
משלוח עולמי תוך 3-5 ימי עסקים
אריזת מונעת סטאטית 100% ESD
מעקב בזמן אמת לכל הזמנה
תשלום בטוח וגמיש
כרטיס אשראי, ויזה, מאסטרקארד, פייפאל, ווסטרן יוניון, העברה טלפונית (T/T) ועוד
כל התשלומים מוצפנים לביטחון
SIHJ8N60E-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
טרנזיסטורים, שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
520mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
44 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
754 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
89W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIHJ8
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
הורדה SIHJ8N60E-T1-GE3 מפרטי מוצר (PDF)
גיליון נתונים של HTML
SIHJ8N60E-T1-GE3-DG
גליונות נתונים
SIHJ8N60E-T1-GE3
SIHJ8N60E-T1-GE3
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מידע נוסף
שמות אחרים
SIHJ8N60E-T1-GE3CT
SIHJ8N60E-T1-GE3TR
SIHJ8N60E-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
בקרת איכות (QC)
אתר DiGi מבטיח את איכות ואותנטיות כל רכיב אלקטרוני באמצעות בדיקות מקצועיות וטעימות קבוצתיות, ומבטיח מקורות אמינים, ביצועים יציבים ותאימות לדרישות טכניות, תוך סיוע ללקוחות בהפחתת סיכוני שרשרת ההספקה ושימוש בביטחון ברכיבים בתהליך הייצור.
SIHJ8N60E-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHJ8N60E-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
