מניעת זיופים ותקלות
בדיקת מראה וע packaging
תיקוף ביצועי חשמל
דוא"ל שירות:
[email protected]
>
SIR516DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
500100 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 100 V 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
בקשת הצעת מחיר
(מוכרחת מחר)
*כמות
מינימום 1
מינימום 1
5.0 / 5.0
- (200 דרוגים)
SIR516DP-T1-RE3
סקירה כללית של המוצר
12968163
DiGi Electronics מספר חלק
SIR516DP-T1-RE3-DGיצרן
Vishay Siliconix
SIR516DP-T1-RE3
תיאור
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWמלאי
500100 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 100 V 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
כמות
מינימום 1
מינימום 1
רכישה ושאלה
אחריות והחזרות
איך להזמין
משלוח והספקה
בקרת איכות
365 - ערבות איכות יומיומית - כל חלק מוגן במלואו
החזר כספי או החלפה תוך 90 יום - חלקים פגומים? בלי טרחה.
מלאי מוגבל, הזמינו עכשיו - קבל חלקים אמינים בלי דאגות.
משלוחים גלובליים ואחסון מאובטח
משלוח עולמי תוך 3-5 ימי עסקים
אריזת מונעת סטאטית 100% ESD
מעקב בזמן אמת לכל הזמנה
תשלום בטוח וגמיש
כרטיס אשראי, ויזה, מאסטרקארד, פייפאל, ווסטרן יוניון, העברה טלפונית (T/T) ועוד
כל התשלומים מוצפנים לביטחון
SIR516DP-T1-RE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
טרנזיסטורים, שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16.8A (Ta), 63.7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
27 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1920 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
הורדה SIR516DP-T1-RE3 מפרטי מוצר (PDF)
גליונות נתונים
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
גיליון נתונים של HTML
SIR516DP-T1-RE3-DG
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIR516DP-T1-RE3CT
742-SIR516DP-T1-RE3TR
742-SIR516DP-T1-RE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
חלפים חלופיים
מספר חלק
יצרן
כמות זמינה
DiGi מספר חלק
מחיר ליחידה
סוג משאב
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
desember 02, 2025
J’ai été agréablement surpris par la vitesse de livraison et la sécurité de l’emballage.
desember 02, 2025
Schnelle Lieferung und dauerhafte Qualität – so funktioniert Einkauf bei DiGi Electronics.
desember 02, 2025
いつも迅速かつ丁寧に対応してくれるので、信頼しています。こちらの要望も親身に叶えてくれます。
desember 02, 2025
DiGi Electronics consistently provides support that aligns with our expectations.
desember 02, 2025
The support team was proactive and attentive to my needs after purchase.
desember 02, 2025
Prompt shipment and sturdy packaging demonstrated their professionalism.
desember 02, 2025
My order arrived sooner than expected, and the customer service team was very helpful afterward.
desember 02, 2025
Their after-sales service is reliable and always ready to assist with any concerns.
desember 02, 2025
DiGi Electronics's shipping process is seamless, saving me valuable time on project deadlines.
desember 02, 2025
Their quality of post-purchase support reassures me that I made the right choice.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
שאלות נפוצות (שנ)
מהן התכונות העיקריות של MOSFET Vishay SIR516DP-T1-RE3?
Vishay SIR516DP-T1-RE3 הוא MOSFET מסוג N-ערוץ המיועד להתקנה משטח, עם דרגת מתח של 100V וזרם נמשך של 16.8A בטמפרטורה של 25°C. הוא מאופיין ב-Rds On נמוך של 8 מ"Ω בזרם של 10A, מה שהופך אותו מתאים ליישומי כוח יעילים במיוחד. המכשיר ארוז ב-PowerPAK® SO-8 להתקנה קלה על משטח וניהול חום טוב יותר.
למה מכשיר MOSFET זה המתאים ל-100V מתאים לשימוש?
MOSFET בנפח 100V מסוג N-ערוץ זה מושלם לשימוש בניהול כוח, ספקי כוח מתחלפים, בקרה על מנועים, וטרנסיסטורים אלקטרוניים אחרים שדורשים החלפת זרם יעילה והפחתת חום. היכולת לזרם גבוהה עושה אותו מתאים ליישומי כוח תובעניים.
האם Vishay SIR516DP-T1-RE3 תואם לעיצובים סטנדרטיים של לוחות PCB?
כן, המכשיר מגיע באריזה PowerPAK® SO-8, שהיא אריזת התקנה משטח נפוצה ותואמת לעיצובים סטנדרטיים של לוחות PCB. היא מיועדת לשילוב קל במעגלים קיימים ובעיצובים חדשים.
מה היתרונות של שימוש ב-MOSFET זה לעומת טרנזיסטורי סיליקון מסורתיים?
MOSFET זה מציע Rds On נמוך יותר, יעילות גבוהה יותר וביצועי החלפה טובים יותר לעומת טרנזיסטורי סיליקון מסורתיים. הנטל Gate נמוך וקיבולת זרם גבוהה מסייעים להקטין אובדן כוח וניהול חום משופר.
איך אוכל לרכוש ולקבל תמיכה ב-MOSFET Vishay SIR516DP-T1-RE3?
Vishay SIR516DP-T1-RE3 זמין במלאי אצל מפיצים גלובליים. לתמיכה טכנית או לשאלות אחריות, פנה לסוחרי Vishay מורשים או עיין בטבלת הנתונים של המוצר לקבלת פרטים על המפרטים והוראות טיפול.
בקרת איכות (QC)
אתר DiGi מבטיח את איכות ואותנטיות כל רכיב אלקטרוני באמצעות בדיקות מקצועיות וטעימות קבוצתיות, ומבטיח מקורות אמינים, ביצועים יציבים ותאימות לדרישות טכניות, תוך סיוע ללקוחות בהפחתת סיכוני שרשרת ההספקה ושימוש בביטחון ברכיבים בתהליך הייצור.
SIR516DP-T1-RE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR516DP-T1-RE3 PCB symbols & footprints
productDetail
