SIS776DN-T1-GE3 >
SIS776DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
9292 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 30 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
בקשת הצעת מחיר (מוכרחת מחר)
*כמות
מינימום 1
SIS776DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (51 דרוגים)

SIS776DN-T1-GE3

סקירה כללית של המוצר

12787581

DiGi Electronics מספר חלק

SIS776DN-T1-GE3-DG
SIS776DN-T1-GE3

תיאור

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

מלאי

9292 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 30 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
כמות
מינימום 1

רכישה ושאלה

בקרת איכות

365 - ערבות איכות יומיומית - כל חלק מוגן במלואו

החזר כספי או החלפה תוך 90 יום - חלקים פגומים? בלי טרחה.

מלאי מוגבל, הזמינו עכשיו - קבל חלקים אמינים בלי דאגות.

משלוחים גלובליים ואחסון מאובטח

משלוח עולמי תוך 3-5 ימי עסקים

אריזת מונעת סטאטית 100% ESD

מעקב בזמן אמת לכל הזמנה

תשלום בטוח וגמיש

כרטיס אשראי, ויזה, מאסטרקארד, פייפאל, ווסטרן יוניון, העברה טלפונית (T/T) ועוד

כל התשלומים מוצפנים לביטחון

בקשת הצעת מחיר (מוכרחת מחר)
* כמות
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

SIS776DN-T1-GE3 מפרטים טכניים

קטגוריה טרנזיסטורים, שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן Vishay

אריזות -

סדרה SkyFET®, TrenchFET®

סטטוס המוצר Active

סוג FET N-Channel

טכנולוגיה MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss) 30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C 35A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs 6.2mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה 2.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS 36 nC @ 10 V

VGS (מקס') ±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds 1360 pF @ 15 V

תכונת FET Schottky Diode (Body)

פיזור כוח (מרבי) 3.8W (Ta), 52W (Tc)

טמפרטורת פעולה -50°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים PowerPAK® 1212-8

חבילה / מארז PowerPAK® 1212-8

מספר מוצר בסיסי SIS776

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

SIS776DN-T1-GE3

גיליון נתונים של HTML

SIS776DN-T1-GE3-DG

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
3,000

חלפים חלופיים

מספר חלק
יצרן
כמות זמינה
DiGi מספר חלק
מחיר ליחידה
סוג משאב
RQ3E130BNTB
Rohm Semiconductor
15482
RQ3E130BNTB-DG
0.0579
MFR Recommended
CSD17578Q3A
Texas Instruments
25292
CSD17578Q3A-DG
0.0020
MFR Recommended
CSD17578Q3AT
Texas Instruments
7790
CSD17578Q3AT-DG
0.0013
MFR Recommended
CSD17552Q3A
Texas Instruments
7987
CSD17552Q3A-DG
0.0035
MFR Recommended
STL11N3LLH6
STMicroelectronics
20680
STL11N3LLH6-DG
0.0083
MFR Recommended

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Fascina***Aventure
desember 02, 2025
5.0
Je suis impressionné par la qualité de leur service après-vente.
Blis***lDays
desember 02, 2025
5.0
Trusting DiGi Electronics means I always get good value for my money.
Dari***reams
desember 02, 2025
5.0
Their website is packed with helpful features that improve overall shopping satisfaction.
Suns***eGlow
desember 02, 2025
5.0
Their budget-friendly pricing makes it easy to stay within my tech budget.
Crim***Echo
desember 02, 2025
5.0
DiGi Electronics consistently delivers our orders ahead of schedule, which significantly improves our project timelines.
Gen***Rain
desember 02, 2025
5.0
I enjoyed shopping here, thanks to their courteous and attentive team.
Peac***lPeak
desember 02, 2025
5.0
Excellent service and excellent prices—what more could I ask for?
Ho***ays
desember 02, 2025
5.0
The after-sales support from DiGi Electronics is outstanding, always responsive and helpful.
Publish Evalution
* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

שאלות נפוצות (שנ)

מהם התכונות המרכזיות של ה-MOSFET Vishay SIS776DN-T1-GE3?

ה-MOSFET Vishay SIS776DN-T1-GE3 הוא סוג N-Channel העיצוב ליעילות גבוהה והחלפה אמינה, עם דירוג מתח של 30V, זרם נמשך של 35A, והתנגדות Rds On נמוכה של 6.2 מ"Ω ב-10V. בנוסף, כולל diode שוטקי בגוף הפוטנציה ומורכב בטווח טמפרטורות של -50°C עד 150°C.

האם ה-Vishay SIS776DN-T1-GE3 מתאים ליישומי החלפת כוח?

כן, MOSFET זה ב-PowerPAK® 1212-8 מתאים במיוחד להחלפת כוח ורגולציה של עומס במגוון מכשירים אלקטרוניים, בזכות קיבולת גבוהה של זרם והתנגדות נמוכה במצב On, המפחיתה איבודי חשמל ומעלה יעילות.

מהי תאימות ה-MOSFET SIS776DN-T1-GE3 עם מתחים שונים של נהיגה?

ה-MOSFET תומך במתח נהיגה מקסימלי של 10V ומינימלי של 4.5V ל-Rds On, מה שהופך אותו לתואם עם מעגלי הנהיגה הנפוצים במכשירי אלקטרוניקה ומערכות בקרה למוטורים.

האם ה-MOSFET SIS776DN-T1-GE3 עומד בסטנדרטים סביבתיים?

כן, הוא עומד בדרישות RoHS3 ומציע רמת רגישות ללחות ללא הגבלה (MSL 1), מה שמבטיח התאמה לתהליכי ייצור אקולוגיים ותפקוד אמין במגוון תנאים.

מה חשוב לדעת לגבי רכישה ותמיכה ל-MOSFET Vishay SIS776DN-T1-GE3?

המוצר זמין במלאי עם 9,614 יחידות, וכמוצר חדש ומקור, מגיע עם תמיכת היצרן. לייעוץ טכני או להזמנות בכמות גדולה, ניתן לפנות מפיצי מורשה או ישירות ל-Vishay.

בקרת איכות (QC)

אתר DiGi מבטיח את איכות ואותנטיות כל רכיב אלקטרוני באמצעות בדיקות מקצועיות וטעימות קבוצתיות, ומבטיח מקורות אמינים, ביצועים יציבים ותאימות לדרישות טכניות, תוך סיוע ללקוחות בהפחתת סיכוני שרשרת ההספקה ושימוש בביטחון ברכיבים בתהליך הייצור.

בקרת איכות
מניעת זיופים ותקלות

מניעת זיופים ותקלות

סינון מקיף לזיהוי רכיבים מזויפים, משופצים או פגומים, כדי להבטיח שרק חלקים מקוריים ועומדים בדרישות יישלחו.

בדיקת מראה וע packaging

בדיקת מראה וע packaging

תיקוף ביצועי חשמל

אימות מראה הרכיב, סימונים, קודי תאריך, תקינות האריזה וקונסיסטנטיות התווית כדי להבטיח מעקב והתאמה.

הערכת חיים ואמינות

עבודת תקן DiGi
בלוגים ופוסטים
SIS776DN-T1-GE3 CAD Models
productDetail
Please log in first.
עדיין אין לך חשבון? להירשם