מניעת זיופים ותקלות
בדיקת מראה וע packaging
תיקוף ביצועי חשמל
דוא"ל שירות:
[email protected]
>
SISS76LDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
360300 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
בקשת הצעת מחיר
(מוכרחת מחר)
*כמות
מינימום 1
מינימום 1
5.0 / 5.0
- (353 דרוגים)
SISS76LDN-T1-GE3
סקירה כללית של המוצר
12945157
DiGi Electronics מספר חלק
SISS76LDN-T1-GE3-DGיצרן
Vishay Siliconix
SISS76LDN-T1-GE3
תיאור
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAKמלאי
360300 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
כמות
מינימום 1
מינימום 1
רכישה ושאלה
אחריות והחזרות
איך להזמין
משלוח והספקה
בקרת איכות
365 - ערבות איכות יומיומית - כל חלק מוגן במלואו
החזר כספי או החלפה תוך 90 יום - חלקים פגומים? בלי טרחה.
מלאי מוגבל, הזמינו עכשיו - קבל חלקים אמינים בלי דאגות.
משלוחים גלובליים ואחסון מאובטח
משלוח עולמי תוך 3-5 ימי עסקים
אריזת מונעת סטאטית 100% ESD
מעקב בזמן אמת לכל הזמנה
תשלום בטוח וגמיש
כרטיס אשראי, ויזה, מאסטרקארד, פייפאל, ווסטרן יוניון, העברה טלפונית (T/T) ועוד
כל התשלומים מוצפנים לביטחון
SISS76LDN-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
טרנזיסטורים, שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
TrenchFET® Gen IV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
70 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
3.3V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.6V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33.5 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2780 pF @ 35 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8SH
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8SH
מספר מוצר בסיסי
SISS76
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
הורדה SISS76LDN-T1-GE3 מפרטי מוצר (PDF)
גליונות נתונים
N-Channel 70 V (D-S) MOSFET
גיליון נתונים של HTML
SISS76LDN-T1-GE3-DG
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SISS76LDN-T1-GE3DKR
742-SISS76LDN-T1-GE3CT
742-SISS76LDN-T1-GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
desember 02, 2025
비용 대비 성능이 뛰어나서 구매한 후 후회 없어요.
desember 02, 2025
Die Website arbeitet effizient, was mir beim täglichen Geschäft sehr hilft. Plus, die Preise sind super.
desember 02, 2025
発送が迅速で、届いた商品も非常に満足できるものでした。
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
שאלות נפוצות (שנ)
מהם התכונות המרכזיות של ה-MOSFET מסדרת Vishay SISS76LDN-T1-GE3 עם ערוץ N?
מוליך ה-MOSFET הזה מציע מתח של 70V בין הדיינות לסוגו, זרם נהר מתמשך של עד 67.4A בטמפרטורת המארז, ומאפיין Rds On נמוך של 6.25 מאיוֹמיים, מה שהופך אותו מתאים ליישומי אנרגיה יעילים גבוה. הוא בנוי בטכנולוגיית TrenchFET® דור IV ומגיע במארז Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH.
האם ה-Vishay SISS76LDN-T1-GE3 תואם לנהגים לוגיים במתח נמוך?
כן, המוליך הזה יכול להיות מונע באמצעות מתח לוגי נמוך עד 3.3V, בזכות מתח ההספקה המרבי שלו והנחית ה-Rds On, מה שהופך אותו לתואם לתכנוני בקרה במתח נמוך מודרניים.
מהן היישומים הנפוצים ל-MOSFET מסוג PowerPAK זה?
מוליך ה-N-channel הזה מתאים להחלפת כוח במקור כוח יעיל גבוה, הנהגות מנועים, תאורת LED ויישומים אחרים הזקוקים לטיפול בזרם גבוה ולאובדנות נמוכה בהולכה.
האם ה-Vishay SISS76LDN-T1-GE3 מתאים לסביבות חום גבוה?
כן, הוא פועל בטווח טמפרטורה מ-55°C עד 150°C, ומאפשר ביצוע אמין במצבים תרמיים קשים הנמצאים בדרך כלל באלקטרוניקת כוח.
אילו אפשרויות אחריות ותמיכה זמינות לרכישת ה-MOSFET הזה?
כחלק מיחידה חדשה ומקורית במלאי, המוליך מכוסה במדיניות התמיכה והאחריות הסטנדרטית של Vishay. לתמיכה אחרי הרכישה, יש ליצור קשר עם המפיץ או ישירות עם Vishay.
בקרת איכות (QC)
אתר DiGi מבטיח את איכות ואותנטיות כל רכיב אלקטרוני באמצעות בדיקות מקצועיות וטעימות קבוצתיות, ומבטיח מקורות אמינים, ביצועים יציבים ותאימות לדרישות טכניות, תוך סיוע ללקוחות בהפחתת סיכוני שרשרת ההספקה ושימוש בביטחון ברכיבים בתהליך הייצור.
SISS76LDN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SISS76LDN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
