מניעת זיופים ותקלות
בדיקת מראה וע packaging
תיקוף ביצועי חשמל
דוא"ל שירות:
[email protected]
>
SIZ270DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
695990 יחידות חדשות מק originales במלאי
Mosfet Array 100V 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
בקשת הצעת מחיר
(מוכרחת מחר)
*כמות
מינימום 1
מינימום 1
5.0 / 5.0
- (170 דרוגים)
SIZ270DT-T1-GE3
סקירה כללית של המוצר
12939803
DiGi Electronics מספר חלק
SIZ270DT-T1-GE3-DGיצרן
Vishay Siliconix
SIZ270DT-T1-GE3
תיאור
MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIRמלאי
695990 יחידות חדשות מק originales במלאי
Mosfet Array 100V 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
כמות
מינימום 1
מינימום 1
רכישה ושאלה
אחריות והחזרות
איך להזמין
משלוח והספקה
בקרת איכות
365 - ערבות איכות יומיומית - כל חלק מוגן במלואו
החזר כספי או החלפה תוך 90 יום - חלקים פגומים? בלי טרחה.
מלאי מוגבל, הזמינו עכשיו - קבל חלקים אמינים בלי דאגות.
משלוחים גלובליים ואחסון מאובטח
משלוח עולמי תוך 3-5 ימי עסקים
אריזת מונעת סטאטית 100% ESD
מעקב בזמן אמת לכל הזמנה
תשלום בטוח וגמיש
כרטיס אשראי, ויזה, מאסטרקארד, פייפאל, ווסטרן יוניון, העברה טלפונית (T/T) ועוד
כל התשלומים מוצפנים לביטחון
SIZ270DT-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
טרנזיסטורים, שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
TrenchFET® Gen IV
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
27nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
860pF @ 50V, 845pF @ 50V
הספק - מקס'
4.3W (Ta), 33W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerWDFN
חבילת מכשירים לספקים
8-PowerPair® (3.3x3.3)
מספר מוצר בסיסי
SIZ270
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
הורדה SIZ270DT-T1-GE3 מפרטי מוצר (PDF)
גליונות נתונים
Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFETs
גיליון נתונים של HTML
SIZ270DT-T1-GE3-DG
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SIZ270DT-T1-GE3CT
742-SIZ270DT-T1-GE3DKR
742-SIZ270DT-T1-GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
desember 02, 2025
일처리 속도와 친절도가 정말 뛰어나요. 고객의 요구에 늘 귀 기울여 주셔서 감사했어요.
desember 02, 2025
售後服務細心周到，遇到問題店家都積極協助解決，體驗非常好。
desember 02, 2025
產品的耐用性非常棒，歷經多次使用仍然保持良好狀態，證明他們對品質的堅持。
desember 02, 2025
I’m impressed by their cost-effective offerings and eco-friendly approach to packaging.
desember 02, 2025
I appreciate their punctual shipping; it helps me plan my projects without delays.
desember 02, 2025
Excellent communication and tracking updates during shipping.
desember 02, 2025
I appreciate how quickly they shipped my order; it was at my doorstep before I even expected.
desember 02, 2025
Their prompt and professional after-sales responses enhance my overall experience.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
שאלות נפוצות (שנ)
מהן התכונות המרכזיות של מערך ה-MOSFET Vishay SIZ270DT-T1-GE3?
Vishay SIZ270DT-T1-GE3 הוא מערך שני MOSFETs עם שרת N כפול המיועד לזרמי גבוה, עם מתַח לנהר-אל-מקור של 100V ויכולת ניהול זרימה גבוהה, מתאים ליישומים מולחמים על פני השטח עם חבילת 8-PowerPair®. הוא מציע Rds On נמוך, פיזור יעיל של אנרגיה וביצועים אמינים בטווח הטמפרטורה הפועל שלו.
איך ניתן להשתמש במערך ה-MOSFET Vishay SIZ270DT-T1-GE3 בד circuits אלקטרוניים?
מערך ה-MOSFET הזה מתאים במיוחד ליישומי ההחלפה ביעילות גבוהה, ניהול כוח ומסכי שליטה למנועים. הקונפיגורציה הכפולה של N-ערוצים מאפשרת עיצוב קומפקטי עם ניהול שער פשוט, מה שהופך אותו מתאימה למערכות אלקטרוניות של כוח שונות.
האם מערך ה-Vishay SIZ270DT-T1-GE3 תואם לעיצוב המעגל הקיים שלי?
כן, מערך ה-MOSFET תואם לעיצובים סטנדרטיים של מעגלי PCB עם הרכבת שטוחה ודורש מתח שער של 10V לביצועים אופטימליים. מפרטיו תואמים לדרישות מקובלות להחלפת זרמים גבוהים והמרת כוח.
מה היתרונות בבחירת טרנץ'FET® דור רביעי מסדרת Vishay Series TrenchFET®?
טרנץ'FET® דור רביעי מספק Rds On נמוך יותר, שיפור ביעילות והפחתת אובדני ההולכה, המשפרים את ביצועי המערכת הכוללת. הוא מיועד לפעולה אמינה בטמפרטורות גבוהות ומסוגל לטפל בעומסים גבוהים במבנה חזק.
מה כדאי לדעת על רכישה ואחריות למערך ה-MOSFET Vishay SIZ270DT-T1-GE3?
מערך ה-MOSFET זמין במלאי כמרכיב חדש ואותנטי, תואם ל-RoHS3 וללא הגבלת סף רגישות ללחות. לפרטים אודות תמיכה לאחר המכירה או אחריות, יש לפנות לספק או לשירות הלקוחות הרשמי של Vishay.
בקרת איכות (QC)
אתר DiGi מבטיח את איכות ואותנטיות כל רכיב אלקטרוני באמצעות בדיקות מקצועיות וטעימות קבוצתיות, ומבטיח מקורות אמינים, ביצועים יציבים ותאימות לדרישות טכניות, תוך סיוע ללקוחות בהפחתת סיכוני שרשרת ההספקה ושימוש בביטחון ברכיבים בתהליך הייצור.
SIZ270DT-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIZ270DT-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
