SQJQ112E-T1_GE3 >
SQJQ112E-T1_GE3
Vishay Siliconix
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
240100 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
בקשת הצעת מחיר (מוכרחת מחר)
*כמות
מינימום 1
SQJQ112E-T1_GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (431 דרוגים)

SQJQ112E-T1_GE3

סקירה כללית של המוצר

12965597

DiGi Electronics מספר חלק

SQJQ112E-T1_GE3-DG
SQJQ112E-T1_GE3

תיאור

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)

מלאי

240100 יחידות חדשות מק originales במלאי
N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
כמות
מינימום 1

רכישה ושאלה

בקרת איכות

365 - ערבות איכות יומיומית - כל חלק מוגן במלואו

החזר כספי או החלפה תוך 90 יום - חלקים פגומים? בלי טרחה.

מלאי מוגבל, הזמינו עכשיו - קבל חלקים אמינים בלי דאגות.

משלוחים גלובליים ואחסון מאובטח

משלוח עולמי תוך 3-5 ימי עסקים

אריזת מונעת סטאטית 100% ESD

מעקב בזמן אמת לכל הזמנה

תשלום בטוח וגמיש

כרטיס אשראי, ויזה, מאסטרקארד, פייפאל, ווסטרן יוניון, העברה טלפונית (T/T) ועוד

כל התשלומים מוצפנים לביטחון

זמין במלאי (כל המחירים בדולרים אמריקאיים)
  • כמות מחיר יעד מחיר כולל
  • 1 59.2092 59.2092
מחיר טוב יותר בבקשת הצעת מחיר מקוונית
בקשת הצעת מחיר (מוכרחת מחר)
* כמות
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

SQJQ112E-T1_GE3 מפרטים טכניים

קטגוריה טרנזיסטורים, שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן Vishay

אריזות Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

סדרה TrenchFET® Gen IV

סטטוס המוצר Active

סוג FET N-Channel

טכנולוגיה MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss) 100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C 296A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs 2.53mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה 3.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS 272 nC @ 10 V

VGS (מקס') ±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds 15945 pF @ 25 V

תכונת FET -

פיזור כוח (מרבי) 600W (Tc)

טמפרטורת פעולה -55°C ~ 175°C (TJ)

כיתה Automotive

ההסמכה AEC-Q101

סוג הרכבה Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים PowerPAK® 8 x 8

חבילה / מארז PowerPAK® 8 x 8

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

SQJQ112E

גיליון נתונים של HTML

SQJQ112E-T1_GE3-DG

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

מידע נוסף

שמות אחרים
742-SQJQ112E-T1_GE3TR
742-SQJQ112E-T1_GE3DKR
חבילה סטנדרטית
2,000

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
초***밭
desember 02, 2025
5.0
배송이 빠르고, 포장재가 재활용 가능해서 기쁜 마음으로 받았어요.
Haf***iebe
desember 02, 2025
5.0
Ich wurde nicht enttäuscht von der Geschwindigkeit, mit der meine Bestellung versandt wurde – sehr schnell und zuverlässig.
Leben***mente
desember 02, 2025
5.0
Ich war angenehm überrascht, wie zügig meine Bestellung bei DiGi Electronics ankam. Das hat meinen Tag definitiv verbessert.
Sere***oyage
desember 02, 2025
5.0
Impressed with their responsiveness and clear communication.
Suns***haser
desember 02, 2025
5.0
Their commitment to continuous support ensures that we always have help when needed.
Gol***Gaze
desember 02, 2025
5.0
The company's proactive after-sales approach reduces downtime and increases productivity.
Publish Evalution
* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

שאלות נפוצות (שנ)

מהן התכונות המרכזיות של ה-MOSFET אוטומוטיבי מסוג N של וישי (SQJQ112E-T1_GE3)?

המוליך הזה מציע דירוג מתח של 100V, זרם נמשך גבוה של 296A, והספק פסיעה מקסימלי של 600W. הוא כולל ר저יסטרנסיסטן נמוך (Rds On) של 2.53mΩ ב-20A, 10V ומעוצב לשימושים תאומיים, המבטיחים ביצועים אמינים בסביבות כוח גבוהות.

האם ה-Vishay SQJQ112E-T1_GE3 מתאים למערכות אלקטרוניות רכביות?

כן, המוליך הזה קיבל תעודות ייעודיות לשימוש ברכב תחת תקן AEC-Q101, מה שהופך אותו לאידיאלי לניהול כוח ברכב, הפעלה של מנועים, ואלקטרוניקה תעשייתית שדורשת עמידות ואמינות גבוהה.

מה טווח טמפרטורת ההפעלה של ה-MOSFET הזה?

Vishay SQJQ112E-T1_GE3 יכול לפעול בטווח טמפרטורה של -55°C עד 175°C (TJ), מתאים לסביבות תעשייתיות ורכביות קשות.

האם המוליך תומך בטכנולוגיית הרכבה על פני השטח להתקנה קלה על לוחות PCB?

כן, הוא מגיע בפס רחב PowerPAK® 8 x 8 בעל סוג הרכבה Surface Mount המאפשר הרכבה פשוטה וביצועים תרמיים טובים.

מה חשוב לדעת על התכונות החשמליות והאמינות של ה-MOSFET הזה?

המוליך יש מתח סף Gate של כ-3.5V, עומס פארש נמוך של 272 nC, וכישורי הזרם מעולים, מה שמבטיח אבדות הולכה נמוכות ויציבות גבוהה ביישומים תובעניים.

בקרת איכות (QC)

אתר DiGi מבטיח את איכות ואותנטיות כל רכיב אלקטרוני באמצעות בדיקות מקצועיות וטעימות קבוצתיות, ומבטיח מקורות אמינים, ביצועים יציבים ותאימות לדרישות טכניות, תוך סיוע ללקוחות בהפחתת סיכוני שרשרת ההספקה ושימוש בביטחון ברכיבים בתהליך הייצור.

בקרת איכות
מניעת זיופים ותקלות

מניעת זיופים ותקלות

סינון מקיף לזיהוי רכיבים מזויפים, משופצים או פגומים, כדי להבטיח שרק חלקים מקוריים ועומדים בדרישות יישלחו.

בדיקת מראה וע packaging

בדיקת מראה וע packaging

תיקוף ביצועי חשמל

אימות מראה הרכיב, סימונים, קודי תאריך, תקינות האריזה וקונסיסטנטיות התווית כדי להבטיח מעקב והתאמה.

הערכת חיים ואמינות

עבודת תקן DiGi
בלוגים ופוסטים
SQJQ112E-T1_GE3 CAD Models
productDetail
Please log in first.
עדיין אין לך חשבון? להירשם